近日，中 國(guó)移動(dòng)(108.330, 0.00, 0.00%)研究院成功自主研制出中 國(guó)移動(dòng)首款新結(jié)構(gòu)硅基外腔混合集成光源芯片，相關(guān)成果被光學(xué)領(lǐng)域頂.級(jí)學(xué)術(shù)期刊Photonics Research錄用（影響因子7.2，中 國(guó)科學(xué)院1區(qū)TOP）。

該芯片本征線寬（衡量信號(hào)頻率穩(wěn)定性的核心指標(biāo)）達(dá)34.2 Hz，相位噪聲比現(xiàn)有產(chǎn)品降低三個(gè)量級(jí)（本征線寬從數(shù)十kHz降低到數(shù)十Hz），為每秒可傳送萬億比特?cái)?shù)據(jù)的T比特級(jí)下一代光傳輸技術(shù)提供了全新解決方案。

面對(duì)T比特級(jí)光傳輸“擴(kuò)波段”“提速率”的挑戰(zhàn)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過三大技術(shù)創(chuàng)新突破瓶頸：一是用“反向游標(biāo)”結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)超200nm超寬譜調(diào)諧，較現(xiàn)有商用產(chǎn)品提升100％；二是攻克增益難題，實(shí)現(xiàn)多波段無縫切換；三是采用低損氮化硅諧振腔，讓線寬僅為現(xiàn)有商用產(chǎn)品的千分之一。

歷經(jīng)3年攻關(guān)，團(tuán)隊(duì)全程主導(dǎo)從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、參數(shù)仿真到版圖布局、流片封裝、原型驗(yàn)證的全流程研發(fā)，在實(shí)現(xiàn)調(diào)諧范圍、線寬等關(guān)鍵性能指標(biāo)突破的同時(shí)，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和版圖布局，將芯片面積縮減90％，達(dá)到1.5mm×4mm，且兼容標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型nano封裝，具備產(chǎn)品化前景。該芯片從設(shè)計(jì)、制備到封裝均在國(guó)內(nèi)完成，實(shí)現(xiàn)了全鏈條自主可控。